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武汉匡旭电子科技有限公司

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NCE40TD120BT新洁能IGBT 封装TO-247
1200-1350V IGBT概览新洁能提供击穿电压等 范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构优化，新洁能提供高能效的IG 		2022-07-04
新洁能NCE50TD120BT IGBT功率半导体
IGBT通过工艺与器件结构优化，新洁能提供高能效的IGBT产品。在导通压降与开关损耗之间做出了z佳权衡，能够大幅度提高系统效率。 		2022-07-04
新洁能NCE80TD65BP功率三 管 封装TO-3P
功率模块（Power Module）以 进的IGBT芯片技术为基础，结合高可靠性的封装技术，新洁能推出全新的IGBT功率集成模块（PIM）系列 		2022-07-04
NCE/新洁能NCE25TD120BT IGBT功率模块
新洁能提供击穿电压等 范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构优化，新洁能提供高能效的IGBT产品。在导通压降 		2022-07-04
新洁能IGBT晶体管NCE60TD65BP 600V大功率管
新洁能提供击穿电压等 范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（Injection Enhance, IE）与场截止（Field Stop，FS）技 		2022-07-04
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